新型功能化低维材料的电子性质
作者： 琚伟伟，李同伟 著
出版时间： 2016年版
内容简介
　　本书是作者近年来在对新型低维材料的电子结构、磁特性及相变的研究基础上撰写而成的，系统地介绍了应力、吸附、掺杂等调控方法对几种典型低维材料的电子性质及磁性的影响。全书共8章，第1、2章介绍了相关材料的研究背景及理论方法，第3章介绍了磷烯在应力作用下电子结构的变化，第4、5章介绍了杂质原子吸附对硅烯电学和磁学性质的影响，第6～8章研究了不同种类的吸附物质对二硫化钼性质的影响。本书可供相关低维材料领域的科技工作者参考，也可作为高等院校相关专业的本科生和研究生的参考书。
目录
第1章 绪论/t1
1．1 石墨烯的研究进展/t1
1．1．1 石墨烯的诞生/t1
1．1．2 石墨烯的奇特电子结构/t1
1．1．3 石墨烯纳米带/t3
1．1．4 氢化石墨烯的电子性质/t5
1．2 二维过渡金属硫属化合物简介/t8
1．2．1 单层过渡金属硫属化合物（TMDs）的种类/t8
1．2．2 单层过渡金属硫属化合物（TMDs）的性质/t9
1．3 硅烯的研究进展/t10
1．4 磷烯的研究进展/t11
1．5 其他二维纳米材料/t12
1．5．1 二维氮化硼的基本性质/t12
1．5．2 氧化锌的基本性质/t13
参考文献/t13
第2章 理论方法/t19
2．1 能带理论的三大近似/t19
2．1．1 绝热近似/t19
2．1．2 单电子近似与密度泛函理论/t20
2．1．3 交换关联泛函的简化/t22
2．1．4 周期性势场近似及布洛赫定理/t23
2．2 势与波函数的处理/t24
2．2．1 平面波方法/t25
2．2．2 原子轨道线性组合法/t26
2．2．3 赝势方法/t27
2．2．4 投影缀加波法/t28
2．3 Kohn-Sham方程的自洽求解/t28
参考文献/t29
第3章 应力作用下多层磷烯的相变/t33
3．1 概述/t33
3．2 平面双轴应力对多层磷烯的影响/t34
3．2．1 计算方法和模型/t34
3．2．2 结果和讨论/t35
3．3 垂直压缩应力对多层磷烯的影响/t40
3．3．1 计算方法和模型/t40
3．3．2 结果和讨论/t40
参考文献/t44
第4章 吸附对硅烯电子性质的影响/t47
4．1 概述/t47
4．2 计算模型和方法/t48
4．3 不同浓度的吸附原子对硅烯的影响/t49
4．3．1 几何结构和稳定性/t49
4．3．2 电子结构和磁性/t50
4．3．3 轨道特征和杂化/t54
参考文献/t56
第5章 局部氢化硅烯中奇异的d0磁性/t61
5．1 概述/t61
5．2 计算模型和方法/t61
5．3 局部氢化硅烯的磁性及热稳定性/t63
5．3．1 奇异的d0磁性/t63
5．3．2 氢化硅烯的热稳定性/t67
5．3．3 关于氢化硅烯磁性的规律/t69
参考文献/t69
第6章 过渡金属原子的取代掺杂对单层MoS2性质的影响/t73
6．1 概述/t73
6．2 计算模型和方法/t74
6．3 TM-MoS2的性质研究/t75
6．4 O2吸附于TM-MoS2/t77
6．4．1 O2在Pt-、Pd-、Ni-MoS2表面的吸附/t78
6．4．2 O2在Ir-、Rh-、Co-MoS2表面的吸附/t80
6．4．3 O2在Au-、Ru-MoS2表面的吸附/t82
参考文献/t83
第7章 CO和NO吸附对金属元素掺杂的单层MoS2电子性质的影响/t89
7．1 概述/t89
7．2 计算模型和方法/t90
7．3 CO和NO吸附于金属掺杂的单层MoS2表面/t90
7．3．1 CO的吸附/t90
7．3．2 NO的吸附/t94
参考文献/t97
第8章 基于单层MoS2的甲醛气体检测器/t101
8．1 概述/t101
8．2 计算模型和方法/t102
8．3 Cl、P和Si原子掺杂的单层MoS2的性质研究/t102
8．4 甲醛分子在MoS2表面的吸附/t104
8．4．1 甲醛分子在纯净MoS2及Cl-MoS2表面的吸附/t104
8．4．2 甲醛分子在P-MoS2表面的吸附/t106
8．4．3 甲醛分子在Si-MoS2表面的吸附/t108
参考文献/t110