T/CASAS 016-2022 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法
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本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法。
本文件仅适用于SiC MOSFET分立器件以源极和漏极之间的电压???作为测试温敏参数的结壳热阻测试。
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