本标准规定了用二次离子质谱仪测定半导体氮化镓材料中痕量杂质（硅、铝、锌、铁）浓度及分布的方法。
本标准适用于半导体氮化镓材料中痕量杂质（硅、铝、锌、铁）浓度及分布的分析，其中硅、铝、锌、铁的浓度均大于1×1015 atoms/cm3。其它杂质的检测可参照执行。