本标准规定了p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片（以下简称“外延片”）的分类和标记、要求、试验方法、检测规则、标志、包装、运输和储存。
本标准适用于P沟道IGBT功率器件用4H碳化硅外延片。产品主要用于制作IGBT功率半导体及电力电子器件。