本标准规定了MEMS高深宽比结构深度光谱反射测量的测量原理、测量设备、测量要求、测量方法、测量结果的不确定度评定、合成相对不确定度评定、扩展相对不确定度评定以及测试报告等内容。
本标准适用于多种半导体材料上MEMS高深宽比刻蚀结构的深度测量。刻蚀结构包括但不限于单体和阵列的沟槽、柱和孔等。