本文件规定了利用双晶X 射线衍射仪测试碳化硅单晶片摇摆曲线半高宽的方法。
本文件适用于物理气相传输及其它方法生长制备的碳化硅单晶片。
本文件适用于在室温下碳化硅单晶片的正晶向和偏角度的摇摆曲线检测。