本标准规定了用非接触涡流法测定导电碳化硅单晶片电阻率的方法。
本标准适用于200μm 到1000μm 厚的碳化硅单晶片。
本标准适用于电阻率0.005Ω·cm 到200Ω· cm 和表面电阻0.032 Ω/□到3000Ω/□的范围。