本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、质量证明书、运输和贮存及质量承诺。
本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向<100>的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件（简称高压MOSFET）。