本文件规定了用高分辨X射线衍射法表征6H和4H碳化硅单晶衬底基平面弯曲的方法。
本文件适用于（0001）面或（0001）面偏晶向的6H和4H-碳化硅单晶衬底中基平面弯曲的表征。