本标准阐述了4H-SiC衬底及外延缺陷的图谱，其中包括4H-SiC衬底缺陷、外延缺陷以及工艺产生的缺陷。
本标准给出了4H碳化硅（4H-SiC）衬底及外延层的主要缺陷、工艺与加工缺陷等方面的形貌特征图谱，说明了缺陷的特点、性质及其对外延生长或器件特征参数的影响，分析了产生的原因及消除方法，并进行了分类。