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T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
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本标准规定了半绝缘碳化硅电阻率非接触测量方法。
本标准适用于电阻率测量范围: 105Ω•cm-1012Ω•cm;样品直径:50.8mm-200mm;样品厚度范围:250μm—5000μm 的衬底。
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