本标准规定了碳化硅(4H-SiC)外延层载流子浓度的测定方法—--汞探针电容-电压法。
本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量,要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为:1文10h em-~5×1011cm-3。
本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。